В статье с использованием обобщенной модели фототермической волны и модели двухфазного запаздывания проведены расчеты приращения температуры, компонент смещения, плотности носителей и компонент напряжений в двумерных полупроводниковых средах. С помощью преобразований Фурье и Лапласа в рамках подхода к определению собственных значений получены точные решения для всех физических величин. Исследование полупроводниковой среды проведено на примере кремния. С использованием полученных результатов проиллюстрирована разница между моделями динамической связи, Лорда–Шульмана и двухфазного сдвига.